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SK海力士内存EUV成本激增，策略调整：4F2与3D DRAM成未来探索方向

时间：2024-09-02 01:00:23 来源：互联网编辑：墨白网

近日消息，SK海力士的研究员Seo Jae-Wook在近期于韩国水原举行的学术会议上提出，为应对成本挑战，公司正探讨未来DRAM内存技术的发展方向，其中包括采用4F2结构或更先进的3D结构。

这一策略调整有望突破现有技术瓶颈，降低生产成本，同时保持或提升存储性能，对整个内存行业可能产生深远影响。

Seo Jae-Wook 表示：

从 1c DRAM 开始，EUV 光刻成本迅速增加，现在是时候考虑以这种方式制造 DRAM 是否有利可图了。

（SK 海力士）也在考虑是否应该从下一代产品开始转向 VG（即垂直栅极，Vertical Gate）或 3D DRAM。

Seo Jae-Wook 此处提到的 VG DRAM 即 4F2 DRAM，三星电子称其为 VCT（垂直通道晶体管）DRAM，是一种垂直构建单元结构的新型内存。

4F2 DRAM 的源极、栅极、漏极和电容从下到上放置，字线和位线分别连接到栅极和源极，相较现有的 6F2 DRAM 可减少约 30% 芯片面积。Seo Jae-Wook 预计 VG DRAM 将在 0a nm 节点后量产。

三星电子、SK 海力士、美光三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。而从下代 1d nm 节点开始，先进内存将使用 EUV 多重曝光，大幅提升生产流程中 EUV 光刻环节的成本。

Seo Jae-Wook 表示，利用 VG 或 3D DRAM 结构，能将内存的 EUV 光刻成本降至传统 6F2 DRAM 的一半以下。

其中对于 VG DRAM，可再维持 1~2 代工艺的低光刻成本，但在那之后 EUV 成本将回归急剧上升轨道；而 3D DRAM 路线则需要对沉积与蚀刻设备进行大规模投资。

SK海力士第六代10纳米DDR5 DRAM震撼发布：速度较前代跃升11%，再创行业新高

8月29日消息，依据您分享的科技前沿资讯，我为您重新整理了SK海力士的这项重大技术突破：今日，SK海力士宣布了一项开创性成就，成功研发出全球首款运用第六代10纳米级（1c）尖端工艺的16Gb DDR5 DRAM芯片。

SK海力士第六代10纳米DDR5 DRAM震撼发布：速度较前代跃升11%，再创行业新高

SK 海力士强调：“随着 10 纳米级 DRAM 技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成 1c DDR5 DRAM 的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”

SK 海力士以 1b DRAM 平台扩展的方式开发了 1c 工艺。SK 海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内以最高性能 DRAM 受到认可的 SK 海力士 1b 工艺优势转移到 1c 工艺。

而且，SK 海力士在部分 EUV 工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对 EUV 适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在 1c 工艺上也进行了设计技术革新，与前一代 1b 工艺相比，其生产率提高了 30% 以上。

此次 1c DDR5 DRAM 将主要用于高性能数据中心，其运行速度为 8Gbps（每秒 8 千兆比特），与前一代相比速度提高了 11%。另外，能效也提高了 9% 以上。随着 AI 时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将 SK 海力士 1c DRAM 采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少 30%。